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    IRFP450LC 参数 Datasheet PDF下载

    IRFP450LC图片预览
    型号： IRFP450LC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON） = 0.40ohm ，ID = 14A） [Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A)]
    分类和应用： 晶体晶体管开关局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 294 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRFP450LC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFP450LC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFP450LC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFP450LC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFP450LC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFP450LC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFP450LC的Datasheet PDF文件第8页  
    以前的数据表
    指数
    下一页数据表
    IRFP450LC
    电气特性@ T = 25°C （除非另有说明）
    J
    V
    （ BR ） DSS
    ∆
    V
    （ BR ） DSS
    /
    ∆
    T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    L
    D
    L
    S
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    参数
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    内部排水电感
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    分钟。
    500
    –––
    –––
    2.0
    8.7
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    MAX 。单位
    条件
    –––
    V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    --- V / ° C参考到25° C，I
    D
    = 1毫安
    0.40
    Ω
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 8.4A
    4.0
    V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    –––
    S
    V
    DS
    = 50V ，我
    D
    = 8.4A
    25
    V
    DS
    = 500V, V
    GS
    = 0V
    µA
    250
    V
    DS
    = 400V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    100
    V
    GS
    = 20V
    nA
    -100
    V
    GS
    = -20V
    74
    I
    D
    = 14A
    19
    nC
    V
    DS
    = 400V
    35
    V
    GS
    = 10V ，参照图6和13
    –––
    V
    DD
    = 250V
    –––
    I
    D
    = 14A
    ns
    –––
    R
    G
    = 6.2Ω
    –––
    R
    D
    = 17Ω ，见图。 10
    铅之间，
    ––– 5.0 –––
    6毫米（0.25英寸）。
    nH
    从包
    ––– 13
    –––
    而中心的模具接触
    ––– 2200 –––
    V
    GS
    = 0V
    ––– 320 –––
    pF
    V
    DS
    = 25V
    ––– 28 –––
    ƒ = 1.0MHz的，见图。五
    典型值。
    –––
    0.59
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    14
    49
    30
    30
    源极 - 漏极额定值和特性
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    on
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    向前开启时间
    分钟。典型值。马克斯。单位
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    580
    5.1
    14
    A
    56
    1.4
    870
    7.7
    V
    ns
    µC
    条件
    MOSFET符号
    展示
    整体反转
    p-n结二极管。
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 14A ，V
    GS
    = 0V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 14A
    的di / dt = 100A / μs的
    S
    +L
    D
    )
    固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
    注意事项：
    重复评价;脉冲宽度有限的
    最大。结温。 （参见图11）
    I
    SD
    ≤
    图14A中， di / dt的
    ≤
    130A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    （ BR ） DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150°C
    脉冲宽度
    ≤
    300μS ;占空比
    ≤
    2%.
    V
    DD
    = 25V ，起始物为
    J
    = 25℃时，L = 7.0mH
    R
    G
    = 25Ω, I
    AS
    = 14A 。 （参见图12）
    TO ORDER

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