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    2SC5619_13 参数 Datasheet PDF下载

    2SC5619_13图片预览
    型号： 2SC5619_13
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    内容描述： 高频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 157 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号2SC5619_13的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC5619_13的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC5619_13的Datasheet PDF文件第4页  
    2SC5619
    FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION
    SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
    hFE - IC
    1000
    5
    VCE=5V
    4
    fT - IC
    100
    Gain bandwidth product fT (GHz)
    0.1
    1
    10
    100
    DC forward current gain hFE
    3
    2
    10
    1
    1
    Collector current IC (mA)
    0
    1
    10
    Collector current IC (mA)
    100
    Cob - Vcb
    10
    20
    |S21e|
    2
    - IC
    Collector output capacitance Cob (pF)
    Insertion power gain |S21e|
    2
    ( dB )
    f=1MHz
    IE=0
    VCE=5V
    15
    f=500MHz
    1
    10
    f=1GHz
    5
    0.1
    0.1
    1
    10
    100
    Collector to Base voltage Vcb (V)
    0
    1
    10
    Collector current IC (mA)
    100
    |S21e|
    2
    - f
    20
    Insertion power gain |S21e|
    2
    ( dB )
    15
    VCE=5V
    IC=20mA
    10
    5
    0
    0.1
    1
    Frequency f (GHz)
    10
    ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION

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