INC6008AP1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	INC6008AP1
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内容描述：	低频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 142 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

初步

请注意：这不是最终规范

有些参数如有更改。

INC6008AP1

低频AMPLIFY应用

硅NPN外延型

典型特性（Ta = 25℃）

正向直流电流增益

与集电极电流

1000

共发射极转移

1000

VCE=10V

正向直流电流增益hFE （ - ）

VCE=10V

集电极电流IC （MA ）

100

0.1

0.01

0.1

100

集电极电流IC （MA ）

1000

300

600

900

1200

基地发射极电压VBE （ V）

1500

收藏家EMITTERSATURATION

电压与集电极电流

集电极电压EMITTERSATURATION

VCE （ SAT ）（MV ）

基地EMITTERSATURATION电压

VBE （饱和）（V）的

基地EMITTERSATURATION电压

VS.集热CURRE

IC/IB=10

10000

IC/IB=10

1000

100

0.1

100

集电极电流IC （MA ）

1000

0.1

100

集电极电流IC （MA ）

1000

增益带宽积

与发射极电流

集电极输出电容科夫（PF ）

集电极输出电容

与集电极 - 基极电压

100

f=1MHz

1000

增益带宽积英尺（兆赫）

VCE=10V

100

0.1

发射极电流IE （毫安）

100

0.1

集电极基极电压VCB （ V）

100

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