IRF840 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF840
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内容描述：	ISC N沟道MOSFET晶体管 [isc N-Channel Mosfet Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 119 K
品牌：	ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

INCHANGE Semiconductor

isc

Product Specification

isc N-Channel Mosfet Transistor

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

IRF840

MAX

UNIT

(BR)DSS

Drain-Source Breakdown Voltage

= 0; I

= 0.25mA

500

(th

)

Gate Threshold Voltage

= V

; I

= 0.25mA

DS(

)

GSS

Drain-Source On-Resistance

= 10V; I

= 4A

±20V;V

= 0

0.85

±500

Gate-Body Leakage Current

DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

= 500V; V

250

Forward On-Voltage

= 8A; V

2.0

isc Website：www.iscsemi.cn

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