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2N6059 参数 Datasheet PDF下载

2N6059图片预览
型号: 2N6059
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内容描述: ISC的硅NPN Darlingtion功率晶体管 [isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 2 页 / 164 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
 浏览型号2N6059的Datasheet PDF文件第1页  
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN Darlingtion功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
2N6059
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0
100
V
V
CE
(SAT)
-1
V
CE
(SAT)
-2
V
BE
(SAT)
V
BE
(上)
I
首席执行官
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ;我
B
= 24毫安
2.0
V
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 12A ;我
B
= 120毫安
3.0
V
基射极饱和电压
I
C
= 12A ;我
B
= 120毫安
4.0
V
基射极电压上
I
C
= 6A ; V
CE
= 3V
2.8
V
收藏家Cuto FF电流
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射极截止电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
C
OB
输出电容
w
w
w
.CN
i
em
cs
。是
V
CE
= -50V ;我
B
= 0
V
CE
= 100V;V
BE (
关闭
)
= -1.5V
V
CE
= 100V;V
BE (
关闭
)
= -1.5V ,T
C
=150℃
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
I
C
= 6A ; V
CE
= 3V
I
C
= 12A ; V
CE
= 3V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; ˚F
TEST
=为0.1MHz
1.0
0.5
5.0
2.0
mA
mA
mA
750
18000
100
300
pF
ISC的网站: www.iscsemi.cn
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