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    BD645 参数 Datasheet PDF下载

    BD645图片预览
    型号： BD645
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： ISC的硅NPN达林顿功率晶体管 [isc Silicon NPN Darlington Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 108 K
    品牌： ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
     浏览型号BD645的Datasheet PDF文件第1页  
    INCHANGE半导体
    ISC
    产品speci fi cation
    ISC
    硅NPN达林顿功率晶体管
    电气特性
    T
    C
    = 25 ℃除非另有规定
    符号
    参数
    条件
    民
    典型值。
    BD645
    最大
    单位
    V
    CEO （ SUS ）
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 30毫安;我
    B
    = 0
    60
    V
    V
    CE（
    SAT
    )-1
    V
    CE（
    SAT
    )-2
    V
    BE （
    SAT
    )
    V
    BE （
    on
    )
    集电极 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = 3A ;我
    B
    = 12毫安
    B
    2.0
    V
    集电极 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = 5A ;我
    B
    = 50毫安
    B
    2.5
    V
    基射极饱和电压
    I
    C
    = 5A ;我
    B
    = 50毫安
    B
    3.0
    V
    基射极电压上
    I
    C
    = 3A ; V
    CE
    = 3V
    2.5
    V
    V
    CB
    = 60V ;我
    E
    = 0
    I
    CBO
    收藏家Cuto FF电流
    V
    CB
    = 40V ;我
    E
    = 0; T
    C
    = 150℃
    0.2
    mA
    2.0
    I
    首席执行官
    收藏家Cuto FF电流
    V
    CE
    = 30V ;我
    B
    = 0
    B
    0.5
    mA
    I
    EBO
    发射Cuto FF电流
    V
    EB
    = 5V ;我
    C
    = 0
    5
    mA
    h
    FE
    直流电流增益
    I
    C
    = 3A ; V
    CE
    = 3V
    750
    ISC的网站： www.iscsemi.cn
    2

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