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IS62WV25616BLL-55TI 参数 Datasheet PDF下载

IS62WV25616BLL-55TI图片预览
型号: IS62WV25616BLL-55TI
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内容描述: 256K ×16低电压,超低功耗CMOS静态SRAM [256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 112 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS62WV25616ALL, IS62WV25616BLL
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
V
DD
for Data Retention
Data Retention Current
Data Retention Setup Time
Recovery Time
Test Condition
See Data Retention Waveform
V
DD
= 1.2V,
CS1
V
DD
– 0.2V
See Data Retention Waveform
See Data Retention Waveform
Min.
1.2
0
Max.
3.6
15
Unit
V
µA
ns
ns
ISSI
®
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
t
RC
DATA RETENTION WAVEFORM
(CS1 Controlled)
t
SDR
V
DD
Data Retention Mode
t
RDR
V
DR
CS1
V
DD
- 0.2V
CS1
GND
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
05/02/05
11