HIN232 ， HIN236 ， HIN237 ， HIN238 ， HIN239 ， HIN240 ， HIN241
引脚配置
HIN232 （ PDIP ， SOIC ）
顶视图
T3
OUT
T1
OUT
T2
OUT
R1
IN
R1
OUT
T2
IN
T1
IN
GND
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
HIN236 （ SOIC ）
顶视图
24 T4
OUT
23 R2
IN
22 R2
OUT
21 SD
20 EN
19 T4
IN
18 T3
IN
17 R3
OUT
16 R3
IN
15 V-
14 C2-
13 C2+
C1+ 1
V+ 2
C1- 3
C2+ 4
C2- 5
V-
6
16 V
CC
15 GND
14 T1
OUT
13 R1
IN
12 R1
OUT
11 T1
IN
10 T2
IN
9 R2
OUT
T2
OUT
7
R2
IN
8
C1+ 10
V+ 11
C1- 12
+5V
+
1µF
16
1µF
1
注1
+
3
4
注1
+
5
V
CC
C1+
C1-
C2+
C2-
+ 5V至10V
倍压
V+
2
+
注1
1µF
+5V
9
10
V
CC
C1+
+
+ 5V至10V
12
C1-倍压
13
C2+
+
+ 10V至-10V
14
高压变频器
C2-
7
+5V
400kΩ
+5V
400kΩ
+5V
400kΩ
+5V
400kΩ
T1
1µF
V+
11
+
V- 15
+
2
1µF
T1
OUT
+ 10V至-10V
高压变频器
V- 6
+
注1
T1
IN
T2
3
T3
T2
OUT
T1
IN
11
+5V
400kΩ
T1
T2
IN
14
T1
OUT
T3
IN
6
18
1
T3
OUT
T4
OUT
R1
IN
T2
IN
10
12
+5V
400kΩ
T2
7
13
R1
IN
R1
5kΩ
22
R2
OUT
R2
IN
17
R3
OUT
15
EN
20
T2
OUT
T4
IN
R1
OUT
19
5
T4
24
4
R1
5kΩ
23
R2
IN
R2
5kΩ
16
R3
IN
R3
5kΩ
21
SD
8
R1
OUT
R2
OUT
9
R2
5kΩ
8
注意：
1.可以0.1μF或1μF电容器都可以使用。在V +电容
可终止于V
CC
或到地。
4
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
