IS41LV16100-60T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IS41LV16100-60T
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内容描述：	1M ×16 （ 16兆位）动态RAM与EDO页模式 [1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE]
分类和应用：
文件页数/大小：	20 页 / 123 K
品牌：	ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]

IS41C16100

IS41LV16100

真值表

功能

待机

阅读：字

阅读：低字节

阅读：高字节

写：字（早期写）

写：低字节（早期写）

写：高字节（早期写）

读 - 写

(1,2)

EDO页面模式读取

(2)

第一个周期：

第二个周期：

任何周期：

第一个周期：

第二个周期：

第一个周期：

第二个周期：

读

(2)

写

(1,3)

RAS

L→H → L

ħ → L

LCAS

ħ → L

L-H

ħ → L

UCAS

ħ → L

L-H

ħ → L

L-H

地址吨

ROW / COL

NA / COL

不适用/不适用

ROW / COL

NA / COL

ROW / COL

NA / COL

ROW / COL

ROW / NA

I / O

ISSI

高-Z

OUT

低字节，D

OUT

高字节，高Z

低字节，高Z

高位字节，D

OUT

低字节，D

高字节，高Z

低字节，高Z

高位字节，D

OUT

, D

OUT

, D

OUT

, D

OUT

高-Z

EDO页面模式写

(1)

EDO页面模式

(1,2)

读 - 写

隐藏刷新

RAS-只

刷新

CBR刷新

(4)

注意事项：

1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是

LCAS

UCAS

活性）。

2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是

LCAS

UCAS

活性）。

3.早期只写。

4.至少有一个2的

CAS

信号必须被激活（LCAS或

UCAS ）。

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我牧师

04/16/03

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