IS42S32200C1
概述
64MB的SDRAM是高速CMOS ,动态
随机存取存储器的设计在3.3V操作
含67,108,864位内存系统。国内
配置为四组的DRAM ,具有同步
界面。每个16777216位银行的组织结构2048
行,256列32位。
64MB的SDRAM包括自动刷新模式,
和节电,省电模式。所有的信号都
登记在时钟信号CLK的上升沿。
所有输入和输出都是LVTTL兼容。
64MB的SDRAM有能力同步爆
在高数据速率的自动列地址的数据
一代,有能力内部银行之间的交错
隐藏预充电时间和能力,以随机
在更改地址栏上的每个时钟周期
突发存取。
在突发年底启动自定时行预充电
序列可与自动预充电
ISSI
®
功能启用。同时访问一个预充电一家银行
其他三家银行将隐藏预充电周期,
提供无缝,高速随机存取操作。
SDRAM的读取和写入访问被爆导向出发
在选定的位置,并继续进行编程
在编程顺序位置号。该
激活命令的登记开始访问,
其次是读或写命令。在ACTIVE
命令与注册地址位结合
用于选择和行要访问( BA0 , BA1
选择银行; A0 - A10选择行) 。读或
在地址位一起写命令稳压
istered用于选择为起始列位置
突发的访问。
可编程的读或写突发长度由
1,2, 4 ,8个单元或整页,用一个脉冲串终止
选项。
功能框图
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM0-3
命令
解码器
&放大器;
时钟
发电机
DATA IN
卜FF器
32
32
模式
注册
11
刷新
调节器
DQ 0-31
自
刷新
调节器
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
BA0
BA1
11
数据输出
卜FF器
32
32
V
DD
/V
DDQ
GND / GNDQ
刷新
计数器
2048
2048
2048
2048
行解码器
多路复用器
记忆细胞
ARRAY
11
ROW
地址
LATCH
11
ROW
地址
卜FF器
BANK 0
SENSE AMP I / O GATE
COLUMN
地址锁存
256
(x 32)
银行控制逻辑
串计数器
列解码器
COLUMN
地址缓冲器
2
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修订版00E
05/18/06