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IS61C256AH-12NI 参数 Datasheet PDF下载

IS61C256AH-12NI图片预览
型号: IS61C256AH-12NI
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内容描述: 32K ×8高速CMOS静态RAM [32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 64 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61C256AH
写周期NO 。 2
(
OE
是高在写周期)
(1,2)
t
WC
地址
有效的地址
ISSI
t
HA
®
OE
CE
t
AW
t
PWE1
WE
t
SA
D
OUT
数据中,未定义
t
HZWE
高-Z
t
LZWE
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
CE_WR2.eps
写周期NO 。 3
(
OE
为低电平时写周期)
(1)
t
WC
地址
有效的地址
OE
CE
t
HA
t
AW
t
PWE2
WE
t
SA
D
OUT
数据中,未定义
t
HZWE
高-Z
t
LZWE
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
CE_WR3.eps
注意事项:
1.内部写入时间是由重叠定义
CE
低,
WE
低。所有信号必须在有效状态开始写,
但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考的上升或下降
该终止写信号的边沿。
2. I / O将承担高阻状态,如果
OE
V
IH
.
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SR020-1O
05/24/99
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