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IS61C6416AL-12TLI 参数 Datasheet PDF下载

IS61C6416AL-12TLI图片预览
型号: IS61C6416AL-12TLI
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内容描述: 64K ×16高速CMOS静态RAM [64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 92 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61C6416AL
IS62C6416AL
IS64C6416AL
IS65C6416AL
ISSI
-15
分钟。马克斯。
15
12
12
0
0
12
12
12
9
0
3
6
-35
分钟。马克斯。
35
25
25
0
0
25
25
25
20
0
5
20
-45
分钟。马克斯。
45
35
35
0
0
35
35
35
25
0
5
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
®
写周期开关特性
(1,3)
(以上经营范围)
符号参数
-12
分钟。马克斯。
12
9
9
0
0
9
9
9
6
0
3
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWB
t
PWE
1
t
PWE
2
t
SD
t
HD
写周期时间
CE
撰写完
地址建立时间
撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
LB , UB
有效到结束写入的
WE
脉冲宽度( OE =高)
WE
脉冲宽度( OE =低)
数据建立到写结束
从写端数据保持
t
HZWE
(2)
WE
从低到高-Z输出
t
LZWE
(2)
WE
前高后低-Z输出
注意事项:
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V
并规定在图1的输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡,从稳态电压测量± 500毫伏。未经100%测试。
3.内部写入时间由的重叠限定
CE
低,
UB
or
磅,
WE
低。所有信号必须在有效状态,以
开始写的,但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考了
上升或下降并因此终止了写入的信号的边沿。
8
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
01/17/05