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IS61C6416AL-12TLI 参数 Datasheet PDF下载

IS61C6416AL-12TLI图片预览
型号: IS61C6416AL-12TLI
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内容描述: 64K ×16高速CMOS静态RAM [64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 92 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61C6416AL
IS62C6416AL
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
IS64C6416AL
IS65C6416AL
ISSI
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
®
参数
输入电容
输出电容
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1兆赫,V
DD
= 5.0V.
DC电气特性
(以上经营范围)
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
GND
V
IN
V
DD
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
测试条件
V
DD
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.3
–1
–2
–5
–1
–2
–5
马克斯。
0.4
V
DD
+ 0.5
0.8
1
2
5
1
2
5
单位
V
V
V
V
µA
I
LO
输出漏
GND
V
OUT
V
DD
输出禁用
µA
注意:
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
4
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1-800-379-4774
REV 。一
01/17/05