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IS61LV2568-15T 参数 Datasheet PDF下载

IS61LV2568-15T图片预览
型号: IS61LV2568-15T
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内容描述: 256K ×8高速CMOS静态RAM [256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 90 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61LV2568
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
ISSI
®
DC电气特性
(以上经营范围)
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
(1)
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND - V
IN
- V
CC
GND - V
OUT
- V
CC
,输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
2.0
–0.3
–1
–5
–1
–5
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
5
1
5
单位
V
V
V
V
µA
µA
注意:
1. V
IL
(分钟) = -0.3V (DC) ; V
IL
(分钟) = -2.0V (脉冲宽度 - 2.0纳秒) 。
V
IH
(MAX) = V
CC
+ 0.3V (DC) ; V
IH
(最大值)= Vcc的+ 2.0V (脉冲宽度 - 2.0纳秒) 。
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号
I
CC
I
SB
1
参数
Vcc操作
电源电流
TTL待机
当前
( TTL输入)
CMOS待机
当前
( CMOS输入)
测试条件
V
CC
=最大,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时, F =最大值。
V
CC
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
• V
IH
, F =最大
V
CC
=最大,
CE
- V
CC
– 0.2V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V ,或
V
IN
- 0.2V , F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-8 NS
分钟。马克斯。
150
160
50
60
10
20
-10 NS
分钟。马克斯。
125
135
40
50
10
20
-12 NS
分钟。马克斯。
110
120
35
45
10
20
-15 NS
分钟。马克斯。
90
100
30
40
10
20
单位
mA
mA
I
SB
2
mA
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1MHz时, VCC = 3.3V 。
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
12/19/00
3