IS62C256
数据保持特性
符号
V
DR
I
DR
1
I
DR
2
参数
V
CC
为保留数据
数据保持电流
数据保持电流
测试条件
V
DR
= 3.0V ，T
A
= 0 ° C至+ 25°C
V
DR
= 3.0V ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C
分钟。
2.0
—
—
马克斯。
—
200
200
ISSI
单位
V
µA
µA
®
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
-45 NS
分钟。马克斯。
45
—
2
—
—
0
0
3
0
0
—
—
45
—
45
25
—
20
—
20
—
30
-70 NS
分钟。
马克斯。
70
—
2
—
—
0
0
3
0
0
—
—
70
—
70
35
—
25
—
25
—
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCS
(2)
t
HZCS
(2)
t
PU
(3)
t
PD
(3)
CS
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CS
以低Z输出
CS
到输出高阻态
CS
到上电
CS
掉电
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1中指定的输出负载。
2.在图2中转换测试，与负载测量
±500
毫伏从稳态电压。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
480
Ω
5V
5V
480
Ω
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
Ω
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
Ω
图1 。
4
图2中。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
SR072-1E
05/12/99
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
