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    IS62C256-45T 参数 Datasheet PDF下载

    IS62C256-45T图片预览
    型号： IS62C256-45T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32K ×8低功耗CMOS静态RAM [32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 40 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号IS62C256-45T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IS62C256-45T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS62C256-45T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS62C256-45T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS62C256-45T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS62C256-45T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS62C256-45T的Datasheet PDF文件第8页  
    IS62C256
    写周期开关特性
    (1,3)
    （以上经营范围）
    符号
    参数
    写周期时间
    -45 NS
    分钟。马克斯。
    45
    35
    25
    0
    0
    25
    20
    0
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    -70ns
    分钟。
    马克斯。
    70
    60
    60
    0
    0
    55
    30
    0
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ISSI
    ®
    t
    WC
    t
    SCS
    t
    AW
    t
    HA
    t
    SA
    t
    PWE
    (4)
    t
    SD
    t
    HD
    CS
    撰写完
    地址建立时间撰写完
    从写端地址保持
    地址建立时间
    WE
    脉冲宽度
    数据建立到写结束
    从写端数据保持
    注意事项：
    1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
    在图1中指定的输出负载。
    2.在图2中转换测试，与负载测量
    ±500
    毫伏从稳态电压。未经100％测试。
    3.内部写入时间由的重叠限定
    CS
    低，
    WE
    低。所有信号必须在有效状态开始写，
    但任何一个可以变为无效，终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考的上升或下降
    该终止写信号的边沿。
    4.与测试
    OE
    高。
    AC波形
    写周期NO 。 1
    (
    CS
    控制，
    OE
    是高还是低）
    (1 )
    t
    WC
    地址
    有效的地址
    t
    SA
    CS
    t
    SCS
    t
    HA
    WE
    t
    AW
    t
    PWE1
    t
    PWE2
    t
    HZWE
    t
    LZWE
    高-Z
    D
    OUT
    数据中，未定义
    t
    SD
    D
    IN
    t
    HD
    数据
    IN
    有效
    CS_WR1.eps
    6
    集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
    SR072-1E
    05/12/99

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