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IS62LV2568LL-85H 参数 Datasheet PDF下载

IS62LV2568LL-85H图片预览
型号: IS62LV2568LL-85H
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内容描述: 256K ×8低功耗和低Vcc的CMOS静态RAM [256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管输出元件输入元件
文件页数/大小: 10 页 / 64 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS62LV2568LL
ISSI
-70
-85
马克斯。
33
分钟。
85
70
70
70
0
0
60
35
0
5
马克斯。
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。
70
65
65
65
0
0
60
30
0
5
®
写周期开关特性
(1,3)
(以上经营范围,标准和低功耗)
符号
参数
写周期时间
CE1
撰写完
CE2撰写完
地址建立时间撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
WE
脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE
从低到高-Z输出
WE
前高后低-Z输出
t
WC
t
SCE
1
t
SCE
2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
(4)
t
SD
t
HD
t
HZWE
(2)
t
LZWE
(2)
注意事项:
1.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间,定时1.3V的参考电平, 0.4V的输入脉冲电平,以在图1中指定的2.2V和输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡,从稳态电压测量± 500毫伏。未经100%测试。
3.内部写入时间由的重叠限定
CE1
LOW , HIGH CE2和
WE
低。所有信号必须在有效状态开始写,但任何一个可以去到不活跃
终止写入。的数据输入的建立和保持时间是参照该结束写入的信号的上升或下降沿。
4.与测试
OE
高。
AC波形
写周期NO 。 1
( CE控制,
OE
=高或低)
t
WC
地址
t
SCE1
t
HA
CE1
t
SCE2
CE2
t
AW
t
PWE
(4)
t
SA
t
HZWE
高-Z
WE
t
LZWE
DOUT
数据中,未定义
t
SD
t
HD
DIN
DATA-内有效
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
版本B
05/03/00
7