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IS62LV2568LL-85H 参数 Datasheet PDF下载

IS62LV2568LL-85H图片预览
型号: IS62LV2568LL-85H
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内容描述: 256K ×8低功耗和低Vcc的CMOS静态RAM [256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管输出元件输入元件
文件页数/大小: 10 页 / 64 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS62LV2568LL
DC电气特性
(以上经营范围)
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.0
2.2
–0.3
–1
–1
ISSI
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
0.4
1
1
V
V
V
V
µA
µA
®
单位
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
注意:
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号参数
I
CC
VCC动态
操作
电源电流
TTL待机
当前
( TTL输入)
CMOS待机
当前
( CMOS输入)
测试条件
V
CC
=最大值, CE = V
IL
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
COM 。
IND 。
-70
分钟。
马克斯。
30
35
0.4
1.0
5
5
-85
分钟。
马克斯。
25
30
0.4
1.0
5
5
单位
mA
I
SB
1
V
CC
=最大,
COM 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
IND 。
CE1
V
IH
或CE2
V
IL
, f = 0
V
CC
=最大值, F = 0
COM 。
CE1
V
CC
– 0.2V,
IND 。
CE2
0.2V,
或V
IN
V
CC
– 0.2V, V
IN
0.2V
mA
I
SB
2
µA
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
4
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
版本B
05/03/00