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IS62VV25616LL-85MI 参数 Datasheet PDF下载

IS62VV25616LL-85MI图片预览
型号: IS62VV25616LL-85MI
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内容描述: 256K ×16低电压, 1.8V超低功耗CMOS静态RAM [256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 56 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS62VV25616LL
AC波形
读周期1号
(1,2)
(地址控制) ( CE =
OE
= V
IL
,
UB
or
LB
= V
IL
)
t
RC
ISSI
®
地址
t
AA
t
OHA
t
OHA
数据有效
D
OUT
以前的数据有效
AC波形
读周期2号
(1,3)
( CE,
OE ,
UB / LB
控制)
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
OE
t
美国能源部
t
HZOE
CE
t
LZCE
t
LZOE
t
ACE
t
HZCE
LB , UB
t
BA
t
HZB
数据有效
D
OUT
高-Z
t
LZB
注意事项:
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。
OE , CE, UB ,
or
LB
= V
IL
.
3.地址之前或重合是有效的
CE
LOW过渡。
6
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
08/07/02