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IS62VV25616LL-85MI 参数 Datasheet PDF下载

IS62VV25616LL-85MI图片预览
型号: IS62VV25616LL-85MI
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内容描述: 256K ×16低电压, 1.8V超低功耗CMOS静态RAM [256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 56 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS62VV25616LL
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号
I
CC
I
CC
1
I
SB
1
参数
测试条件
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-70
分钟。马克斯。
30
35
3
3
0.3
0.3
ISSI
-85
分钟。马克斯。
30
35
3
3
0.3
0.3
®
单位
mA
mA
mA
VDD动态工作V
DD
=最大,
电源电流
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
工作电源
当前
TTL待机电流
( TTL输入)
OR
ULB控制
V
DD
=最大,
I
OUT
= 0 mA时, F = 1 MH
Z
V
DD
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
V
IH
, f = 0
VDD =最大,V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
= V
IL
, f = 0,
UB
= V
IH
,
LB
= V
IH
I
SB
2
CMOS待机
V
DD
= 1.95V.,
电流( CMOS输入)
CE
V
DD
– 0.2V,
V
IN
V
DD
- 0.2V ,或
V
IN
0.2V , F = 0
OR
ULB控制
V
DD
= 1.95V.,
CE
= V
IL
COM 。
IND 。
10
10
10
10
µA
V
IN
0.2V , F = 0 ;
UB
/
LB
= V
DD
– 0.2V
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
读周期开关特性
(1)
(以上经营范围)
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
LB , UB
存取时间
LB , UB
到输出高阻态
LB , UB
以低Z输出
-70
分钟。
马克斯。
70
10
5
0
10
0
0
70
70
35
25
25
70
25
-85
分钟。
马克斯。
85
10
5
0
10
0
0
85
85
40
25
25
85
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2)
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
注意事项:
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间,定时0.9V的参考电平, 0.4输入脉冲电平为1.4V和
在图1中指定的输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡,从稳态电压测量± 500毫伏。未经100%测试。
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
08/07/02
5