IS62WV1288ALL,
IS62WV1288BLL
ISSI
价值
-0.2到V
DD
+0.3
-0.2到+3.8
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
®
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
DD
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
V
DD
与GND
储存温度
功耗
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是
一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件的说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
工作范围（V
DD
)
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
IS62WV1288ALL
1.65V - 2.2V
1.65V - 2.2V
IS62WV1288BLL
2.5V - 3.6V
2.5V - 3.6V
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH(2)
V
IL(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
DD
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
分钟。
1.4
2.2
—
—
1.4
2.2
–0.2
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
—
0.2
0.4
V
DD
+ 0.2
V
DD
+ 0.3
0.4
0.6
1
1
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
µA
µA
注意事项：
1.冲： -1.0V脉冲宽度小于10纳秒。未经100％测试。
2.过冲： V
DD
+ 1.0V为脉冲宽度小于10纳秒。未经100％测试。
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
06/20/05
3
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
