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IS62WV2568BLL-70HI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IS62WV2568BLL-70HI
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内容描述: 256K ×8低电压,超低功耗CMOS静态RAM [256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 74 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS62WV2568ALL,
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
IS62WV2568BLL
ISSI
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
®
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
输入电容
输入/输出电容
注意:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
62WV2568ALL
(单元)
0.4V至Vcc - 0.2V
5纳秒
V
REF
参见图1和2
62WV2568BLL
(单元)
0.4V至Vcc - 0.3V
5ns
V
REF
参见图1和2
1.65-2.2V
R1(Ω)
R2(Ω)
V
REF
V
TM
3070
3150
0.9V
1.8V
2.5V - 3.6V
3070
3150
1.5V
2.8V
AC测试负载
R1
VTM
VTM
R1
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
图1
4
图2
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
06/20/05