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    IS62WV2568BLL-70HI 参数 Datasheet PDF下载

    IS62WV2568BLL-70HI图片预览
    型号： IS62WV2568BLL-70HI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×8低电压，超低功耗CMOS静态RAM [256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 14 页 / 74 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号IS62WV2568BLL-70HI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IS62WV2568BLL-70HI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS62WV2568BLL-70HI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS62WV2568BLL-70HI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS62WV2568BLL-70HI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS62WV2568BLL-70HI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS62WV2568BLL-70HI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IS62WV2568BLL-70HI的Datasheet PDF文件第9页  
    IS62WV2568ALL,
    IS62WV2568BLL
    ISSI
    马克斯。
    70纳秒
    15
    15
    3
    3
    0.3
    0.3
    单位
    mA
    mA
    mA
    ®
    电源特性
    (1)
    （以上经营范围）
    62WV2568ALL
    (1.65V - 2.2V)
    符号参数
    I
    CC
    I
    CC
    1
    I
    SB
    1
    VCC工作动态
    电源电流
    工作电源
    当前
    TTL待机电流
    （ TTL输入）
    测试条件
    V
    CC
    =最大，
    COM 。
    I
    OUT
    = 0 mA时，女= F
    最大
    IND 。
    V
    CC
    =最大，
    COM 。
    I
    OUT
    = 0 mA时， F = 0
    IND 。
    V
    CC
    =最大，
    COM 。
    V
    IN
    = V
    IH
    或V
    IL
    IND 。
    CS1
    = V
    IH
    ， CS2 = V
    IL
    ,
    F = 1 MH
    Z
    V
    CC
    =最大，
    CS1
    ≥
    V
    CC
    – 0.2V,
    CS2
    ≤
    0.2V,
    V
    IN
    ≥
    V
    CC
    - 0.2V ，或
    V
    IN
    ≤
    0.2V ， F = 0
    COM 。
    IND 。
    I
    SB
    2
    CMOS待机
    电流（ CMOS输入）
    5
    10
    µA
    电源特性
    (1)
    （以上经营范围）
    62WV2568BLL
    (2.5V - 3.6V)
    符号参数
    I
    CC
    I
    CC
    1
    I
    SB
    1
    VCC工作动态
    电源电流
    工作电源
    当前
    TTL待机电流
    （ TTL输入）
    测试条件
    V
    CC
    =最大，
    COM 。
    I
    OUT
    = 0 mA时，女= F
    最大
    IND 。
    V
    CC
    =最大，
    COM 。
    I
    OUT
    = 0 mA时， F = 0
    IND 。
    V
    CC
    =最大，
    COM 。
    V
    IN
    = V
    IH
    或V
    IL
    IND 。
    CS1
    = V
    IH
    ， CS2 = V
    IL
    ,
    F = 1 MH
    Z
    V
    CC
    =最大，
    CS1
    ≥
    V
    CC
    – 0.2V,
    CS2
    ≤
    0.2V,
    V
    IN
    ≥
    V
    CC
    - 0.2V ，或
    V
    IN
    ≤
    0.2V ， F = 0
    COM 。
    IND 。
    马克斯。
    55纳秒
    30
    35
    3
    3
    0.3
    0.3
    马克斯。
    70纳秒
    25
    30
    3
    3
    0.3
    0.3
    单位
    mA
    mA
    mA
    I
    SB
    2
    CMOS待机
    电流（ CMOS输入）
    10
    10
    10
    10
    µA
    集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
    1-800-379-4774
    版本B
    06/20/05
    5

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