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IS62WV51216BLL-55BI 参数 Datasheet PDF下载

IS62WV51216BLL-55BI图片预览
型号: IS62WV51216BLL-55BI
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内容描述: 512K ×16低电压,超低功耗CMOS静态RAM [512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 129 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS62WV51216ALL , IS62WV51216BLL
数据保留开关特性
符号
参数
V
DD
数据保留
数据保持电流
数据保存时间设置
恢复时间
测试条件
看到数据保存波形
V
DD
= 1.2V,
CS1
V
DD
– 0.2V
看到数据保存波形
看到数据保存波形
分钟。
1.2
0
马克斯。
3.6
20
单位
V
µA
ns
ns
ISSI
®
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
t
RC
数据保存波形
( CS1控制)
t
SDR
V
DD
1.65V
数据保持方式
t
RDR
1.4V
V
DR
CS1
V
DD
- 0.2V
CS1
GND
数据保存波形
( CS2控制)
数据保持方式
V
DD
t
SDR
t
RDR
3.0
CE2
2.2V
V
DR
0.4V
GND
CS2
0.2V
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
02/24/05
13