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    IS62WV51216BLL-55BI 参数 Datasheet PDF下载

    IS62WV51216BLL-55BI图片预览
    型号： IS62WV51216BLL-55BI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×16低电压，超低功耗CMOS静态RAM [512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 16 页 / 129 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号IS62WV51216BLL-55BI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS62WV51216BLL-55BI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS62WV51216BLL-55BI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS62WV51216BLL-55BI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IS62WV51216BLL-55BI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IS62WV51216BLL-55BI的Datasheet PDF文件第11页浏览型号IS62WV51216BLL-55BI的Datasheet PDF文件第12页浏览型号IS62WV51216BLL-55BI的Datasheet PDF文件第13页  
    IS62WV51216ALL ， IS62WV51216BLL
    AC波形
    读周期2号
    (1,3)
    （ CS1，CS2，
    OE ，
    和
    UB / LB
    控制）
    t
    RC
    ISSI
    ®
    地址
    t
    AA
    t
    OHA
    OE
    t
    美国能源部
    t
    HZOE
    CS1
    s
    t
    ACE1/
    t
    ACE2
    t
    LZOE
    CS2
    s
    t
    LZCE1/
    t
    LZCE2
    t
    HZCS1/
    t
    HZCS1
    LB
    s
    ,
    UB
    s
    t
    BA
    t
    LZB
    t
    HZB
    DOUT
    高-Z
    数据有效
    注意事项：
    1.
    WE
    高一读周期。
    2.该装置被连续地选择。
    OE ， CS1 ， UB ，
    or
    LB
    = V
    IL
    。 CS2 = WE = V
    IH
    .
    3.地址之前或重合是有效的
    CS1
    LOW过渡。
    集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
    1-800-379-4774
    版本B
    02/24/05
    9

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