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IS62WV51216BLL-55TI 参数 Datasheet PDF下载

IS62WV51216BLL-55TI图片预览
型号: IS62WV51216BLL-55TI
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内容描述: 512K ×16低电压,超低功耗CMOS静态RAM [512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 16 页 / 129 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS62WV51216ALL , IS62WV51216BLL
IS62WV51216BLL ,电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号
I
CC
I
CC
1
参数
V
DD
工作动态
电源电流
工作电源
当前
TTL待机电流
( TTL输入)
测试条件
V
DD
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
DD
=最大,
CS1
= 0.2V
WE
= V
DD
– 0.2V
CS2 = V
DD
- 0.2V , F = 1
兆赫
V
DD
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CS1
= V
IH
, CS2 = V
IL
,
F = 1 MH
Z
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
马克斯。
45
35
40
5
5
0.3
0.3
马克斯。
55
30
35
5
5
0.3
0.3
马克斯。
70
25
30
5
5
0.3
0.3
ISSI
单位
mA
mA
®
I
SB
1
mA
OR
ULB控制
I
SB
2
CMOS待机
电流( CMOS输入)
V
DD
=最大,V
IN
= V
IH
或V
IL
CS1
= V
IL
, f = 0,
UB
= V
IH
,
LB
= V
IH
V
DD
=最大,
CS1
V
DD
– 0.2V,
CS2
0.2V,
V
IN
V
DD
- 0.2V ,或
V
IN
0.2V , F = 0
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
20
25
4
20
25
4
20
25
4
µA
OR
ULB控制
V
DD
=最大,
CS1
= V
IL
, CS2 = V
IH
V
IN
V
DD
- 0.2V或V
IN
0.2V , F = 0 ;
UB
/
LB
= V
DD
– 0.2V
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 3.0V ,T
A
= 25
o
C和不是100 %测试。
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
02/24/05
7