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    IS62WV51216BLL-55TI 参数 Datasheet PDF下载

    IS62WV51216BLL-55TI图片预览
    型号： IS62WV51216BLL-55TI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×16低电压，超低功耗CMOS静态RAM [512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 16 页 / 129 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号IS62WV51216BLL-55TI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS62WV51216BLL-55TI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS62WV51216BLL-55TI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS62WV51216BLL-55TI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS62WV51216BLL-55TI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IS62WV51216BLL-55TI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IS62WV51216BLL-55TI的Datasheet PDF文件第11页浏览型号IS62WV51216BLL-55TI的Datasheet PDF文件第12页  
    IS62WV51216ALL ， IS62WV51216BLL
    读周期开关特性
    (1)
    （以上经营范围）
    符号
    参数
    读周期时间
    地址访问时间
    输出保持时间
    CS1/CS2
    存取时间
    OE
    存取时间
    OE
    到输出高阻态
    OE
    以低Z输出
    CS1/CS2
    到输出高阻态
    CS1/CS2
    以低Z输出
    LB ， UB
    存取时间
    LB ， UB
    到输出高阻态
    LB ， UB
    以低Z输出
    45纳秒
    分钟。
    马克斯。
    45
    —
    10
    —
    —
    —
    5
    0
    10
    —
    0
    0
    —
    45
    —
    45
    20
    15
    —
    15
    —
    45
    15
    —
    55纳秒
    分钟。
    马克斯。
    55
    —
    10
    —
    —
    —
    5
    0
    10
    —
    0
    0
    —
    55
    —
    55
    25
    20
    —
    20
    —
    55
    20
    —
    ISSI
    70纳秒
    分钟。
    马克斯。
    70
    —
    10
    —
    —
    —
    5
    0
    10
    —
    0
    0
    —
    70
    —
    70
    35
    25
    —
    25
    —
    70
    25
    —
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ®
    t
    RC
    t
    AA
    t
    OHA
    t
    ACS1/
    t
    ACS2
    t
    美国能源部
    t
    HZOE
    (2)
    t
    LZOE
    (2)
    t
    HZCS1/
    t
    HZCS2
    (2)
    t
    LZCS1/
    t
    LZCS2
    (2)
    t
    BA
    t
    HZB
    t
    LZB
    注意事项：
    1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时0.9V / 1.5V的参考电平， 0.4输入脉冲水平
    V
    DD
    -0.2V / 0.4V至V
    DD
    在图1中规定-0.3V和输出负载。
    2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
    AC波形
    读周期1号
    (1,2)
    （地址控制） （ CS1 =
    OE
    = V
    IL
    ， CS2 =
    WE
    = V
    IH
    ,
    UB
    or
    LB
    = V
    IL
    )
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    OHA
    t
    OHA
    数据有效
    D
    Q0-D15
    以前的数据有效
    8
    集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
    1-800-379-4774
    版本B
    02/24/05

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