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IXFA10N60P 参数 Datasheet PDF下载

IXFA10N60P图片预览
型号: IXFA10N60P
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内容描述: 极地HiPerFET功率MOSFET [Polar HiPerFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 147 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXFA10N60P
IXFP10N60P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
TO-220
0.50
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 0.5 • I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 0.5 • I
D25
R
G
= 10Ω
(外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 10V ,我
D
= 0.5 • I
D25
注意1
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
6
11
1720
160
14
23
27
65
21
32
12
10
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.62
° C / W
° C / W
TO- 263外形
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 0.5 • I
D25
, V
GS
= 0V
-di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V
120
3
320
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
10
30
1.5
200
A
A
V
ns
A
nC
的TO-220概要
注:1 。
脉冲测试,T
300μS ,占空比D
2%.
2.在通孔封装,R
DS ( ON)
开尔文测试接触
位置必须是粒径为5mm或从封装体少。
引脚:
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2