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IXFA10N60P 参数 Datasheet PDF下载

IXFA10N60P图片预览
型号: IXFA10N60P
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内容描述: 极地HiPerFET功率MOSFET [Polar HiPerFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 147 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXFA10N60P
IXFP10N60P
图。 7.输入导纳
16
14
12
22
20
18
16
T
J
= 125ºC
25ºC
- 40ºC
25ºC
125ºC
T
J
= - 40ºC
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
5.6
6.0
6.4
I
D
- 安培
10
8
6
4
2
0
3.2
3.6
4.0
4.4
14
12
10
8
6
4
2
0
4.8
5.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。征二极管9.正向电压降
30
10
9
25
8
7
V
DS
= 300V
I
D
= 5A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
20
V
GS
- 伏特
T
J
= 125ºC
T
J
= 25ºC
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
6
5
4
3
2
1
15
10
5
0
0
0
5
10
15
20
25
30
35
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
1
图。 12.最大瞬态热阻抗
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
1,000
西塞
100
科斯
Z
(日) JC
- C / W
35
40
0.1
10
CRSS
1
0
5
10
15
20
25
30
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF : IXF_10N60P ( 4J ) 10年4月18日-D