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    IXFK38N80Q2 参数 Datasheet PDF下载

    IXFK38N80Q2图片预览
    型号： IXFK38N80Q2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强模式额定雪崩，高dv / dt ，低Q值低的固有ř [N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 606 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFK38N80Q2的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IXFK38N80Q2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFK38N80Q2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFK38N80Q2的Datasheet PDF文件第5页  
    IXFK 38N80Q2
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    25
    37
    8340
    V
    GS
    = 0 V, V
    DS
    = 25 V ， F = 1兆赫
    890
    175
    20
    V
    GS
    = 10 V, V
    DS
    = 0.5 • V
    DSS
    , I
    D
    = 0.5 • I
    D25
    R
    G
    = 1.0
    Ω
    （外部）
    16
    60
    12
    190
    V
    GS
    = 10 V, V
    DS
    = 0.5 • V
    DSS
    , I
    D
    = 0.5 • I
    D25
    44
    88
    0.17
    TO-264
    0.15
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    K / W
    K / W
    DIM 。
    A
    A
    1
    A
    2
    b
    b
    1
    b
    2
    C
    D
    E
    e
    L
    L1
    Q
    R
    终端：
    IXFN 38N80Q2
    IXFX 38N80Q2
    PLUS 247
    TM
    概要
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    G（ ON）的
    Q
    gs
    Q
    gd
    R
    thJC
    R
    thCK
    V
    DS
    = 10 V ;我
    D
    = 0.5 • I
    D25
    ，脉冲测试
    1 - GATE
    2 - 漏极（集电极）
    3 - 源（发射极）
    4 - 漏极（集电极）
    源极 - 漏极二极管
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    RM
    I
    RM
    测试条件
    V
    GS
    = 0 V
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。
    典型值。马克斯。
    38
    150
    1.5
    250
    A
    A
    V
    ns
    µC
    A
    毫米
    分钟。马克斯。
    4.83
    5.21
    2.29
    2.54
    1.91
    2.16
    1.14
    1.40
    1.91
    2.13
    2.92
    3.12
    0.61
    0.80
    20.80 21.34
    15.75 16.13
    5.45 BSC
    19.81 20.32
    3.81
    4.32
    5.59
    6.20
    4.32
    4.83
    英寸
    分钟。马克斯。
    .190 .205
    .090 .100
    .075 .085
    .045 .055
    .075 .084
    .115 .123
    .024 .031
    .819 .840
    .620 .635
    0.215 BSC
    .780 .800
    .150 .170
    .220 0.244
    .170 .190
    TO- 264 AA大纲
    重复;脉冲宽度限制T
    JM
    I
    F
    = I
    S
    , V
    GS
    = 0 V,
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    µs,
    占空比
    d
    ≤
    2 %
    I
    F
    = 25A ， -di / DT = 100 A / μs的，V
    R
    = 100 V
    1
    10
    SOT- 227B miniBLOC大纲
    DIM 。
    A
    A1
    A2
    b
    b1
    b2
    c
    D
    E
    e
    J
    K
    L
    L1
    P
    Q
    Q1
    R
    R1
    S
    T
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.82
    5.13
    2.54
    2.89
    2.00
    2.10
    1.12
    1.42
    2.39
    2.69
    2.90
    3.09
    0.53
    0.83
    25.91
    26.16
    19.81
    19.96
    5.46 BSC
    0.00
    0.25
    0.00
    0.25
    20.32
    20.83
    2.29
    2.59
    3.17
    3.66
    6.07
    6.27
    8.38
    8.69
    3.81
    4.32
    1.78
    2.29
    6.04
    6.30
    1.57
    1.83
    分钟。
    英寸
    马克斯。
    .190
    .202
    .100
    .114
    .079
    .083
    .044
    .056
    .094
    .106
    .114
    .122
    .021
    .033
    1.020
    1.030
    .780
    .786
    0.215 BSC
    .000
    .010
    .000
    .010
    .800
    .820
    .090
    .102
    .125
    .144
    .239
    .247
    .330
    .342
    .150
    .170
    .070
    .090
    .238
    .248
    .062
    .072
    IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
    IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
    一个或moreof以下美国专利：
    4,835,592
    4,850,072
    4,881,106
    4,931,844
    5,017,508
    5,034,796
    5,049,961
    5,063,307
    5,187,117
    5,237,481
    5,381,025
    5,486,715
    6,162,665
    6,259,123 B1
    6,306,728 B1
    6,404,065 B1
    6,534,343
    6,583,505
    6,683,344
    6,710,405B2
    6,710,463
    6,727,585
    6,759,692

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