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    IXGH25N100A 参数 Datasheet PDF下载

    IXGH25N100A图片预览
    型号： IXGH25N100A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低V高速IGBT [Low V High speed IGBT]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 111 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXGH25N100A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IXGH25N100A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGH25N100A的Datasheet PDF文件第4页  
    IXGH 25N100
    IXGH 25N100A
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    8
    15
    2750
    V
    CE
    = 25 V, V
    GE
    = 0 V ， F = 1兆赫
    200
    50
    130
    I
    C
    = I
    C90
    , V
    GE
    = 15 V, V
    CE
    = 0.5 V
    CES
    感性负载，T
    J
    = 25°C
    °
    I
    C
    = I
    C90
    , V
    GE
    = 15 V ， L = 300
    µH,
    V
    CE
    = 0.8 V
    CES
    , R
    G
    = R
    关闭
    = 33
    Ω
    备注：开关时间
    可能增加
    25N100A
    对于V
    CE
    （钳） > 0.8 •V
    CES
    ,
    25N100A
    更高的温度
    J
    或加强研究
    G
    感性负载，T
    J
    = 125°C
    °
    I
    C
    = I
    C90
    , V
    GE
    = 15 V ， L = 300
    µH
    V
    CE
    = 0.8 V
    CES
    , R
    G
    = R
    关闭
    = 33
    Ω
    备注：开关时间
    可能增加
    对于V
    CE
    （钳） > 0.8 •V
    CES
    ,
    更高的温度
    J
    或加强研究
    G
    25N100
    25N100A
    25N100
    25N100A
    25
    55
    100
    200
    500
    500
    5
    100
    250
    3.5
    720
    950
    800
    10
    8
    1000
    3000
    1500
    180
    60
    90
    S
    pF
    pF
    pF
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    mJ
    ns
    ns
    mJ
    ns
    ns
    ns
    mJ
    mJ
    0.62 K / W
    0.25
    K / W
    IXGM 25N100
    IXGM 25N100A
    的TO- 247的AD概要
    g
    fs
    C
    IES
    C
    OES
    C
    水库
    Q
    g
    Q
    ge
    Q
    gc
    t
    D（上）
    t
    ri
    t
    D（关闭）
    t
    fi
    E
    关闭
    t
    D（上）
    t
    ri
    E
    on
    t
    D（关闭）
    t
    fi
    E
    关闭
    R
    thJC
    R
    thCK
    I
    C
    = I
    C90
    ; V
    CE
    = 10 V,
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    µs,
    占空比
    ≤
    2 %
    1 - 门
    2 =收藏家
    3 =发射器
    TAB =收藏家
    TO- 204AE大纲
    1 - 门
    2 - 发射极
    案例 - 集电极
    IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
    IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
    4,835,592
    4,850,072
    4,881,106
    4,931,844
    5,017,508
    5,034,796
    5,049,961
    5,063,307
    5,187,117
    5,237,481
    5,486,715
    5,381,025

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