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IXGH25N100A 参数 Datasheet PDF下载

IXGH25N100A图片预览
型号: IXGH25N100A
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内容描述: 低V高速IGBT [Low V High speed IGBT]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 111 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXGH 25N100
IXGH 25N100A
IXGM 25N100
IXGM 25N100A
图。 1饱和特性
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
7V
T
J
= 25°C
V
摹ê
= 15V
13V
11V
图。 2输出Characterstics
200
9V
V
GE
= 15V
13V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
T
J
= 25°C
I
C
- 安培
I
C
- 安培
11V
9V
7V
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10 12
14 16 18 20
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 3集电极 - 发射极电压
与栅极 - 发射极电压
10
9
8
7
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
输出饱和电压
1.5
1.4
I
C
= 50A
V
CE ( SAT )
- 归
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I
C
= 12.5A
I
C
= 25A
V
CE
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
6
7
8
9
I
C
= 12.5A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
10
11
12
13
14
15
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
GE
- 伏特
T
J
- 摄氏度
图。 5输入导纳
50
V
CE
= 10V
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
V
GE (日)
I
C
= 250µA
BV / V
( TH )
- 归
40
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
I
C
- 安培
30
20
T
J
= 25°C
BV
CES
I
C
= 250µA
10
T
J
= 125°C
T
J
= - 40°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
GE
- 伏特
25N100g1.JNB
T
J
- 摄氏度
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