IXGH 40N60B2
IXGT 40N60B2
图。 7.跨导
60
50
T
J
= -40ºC
25ºC
125ºC
3
2.7
2.4
I
C
= 60A
T
J
= 125ºC
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
图。 8.依赖性关断
能源R上
G
E
关闭
- 毫焦耳
g
F小号
- 西门子
40
30
20
2.1
1.8
1.5
1.2
0.9
I
C
= 30A
10
0
0
30
60
90
120
150
180
0.6
0.3
3
6
9
12
15
18
I
C
= 15A
21
24
27
30
I
C
- 安培
图。 9.依赖的导通关
能在我
c
2.7
2.4
2.1
R
G
= 3.3Ω
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
2.7
2.4
2.1
R
G
= 3.3Ω
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
R
G
- 欧姆
图。 10.依赖性的Turn-关闭
精力tem温度
I
C
= 60A
E
关闭
- 毫焦耳
E
关闭
- 毫焦耳
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T
J
= 25ºC
T
J
= 125ºC
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
I
C
= 15A
I
C
= 30A
I
C
- 安培
图。 11.依赖的关断
SW瘙痒添ê R上
G
600
550
300
T
J
- 摄氏
图。 12.依赖性的Turn-关闭
SW痒蒂姆E在我
c
275
切换时间 - 纳秒
切换时间 - 纳秒
500
450
400
350
300
250
200
150
100
3
t
D（关闭）
t
fi
-
- - - - -
T
J
= 125ºC
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
t
D（关闭）
t
fi
- - - - - -
R
G
= 3.3Ω
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
T
J
= 125ºC
250
225
200
175
150
125
100
75
T
J
= 25ºC
I
C
= 15A
I
C
= 60A
I
C
= 30A
6
9
12
15
18
21
24
27
30
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
R
G
- 欧姆
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
I
C
- 安培
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
IXYS [ IXYS CORPORATION ]
