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    IXTK33N50 参数 Datasheet PDF下载

    IXTK33N50图片预览
    型号： IXTK33N50
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高电流MegaMOSFET [High Current MegaMOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 88 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXTK33N50的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTK33N50的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTK33N50的Datasheet PDF文件第4页  
    HIGH CURRENT
    Megamos
    TM
    FET
    N沟道增强模式
    初步数据
    IXTK 33N50
    V
    DSS
    = 500 V
    I
    D（续）
    = 33 A
    R
    DS （ ON）
    = 0.17
    Ω
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    P
    D
    T
    T
    J
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1.0 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    500
    500
    ±20
    ±30
    33
    132
    416
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    TO- 264 AA
    G
    D（ TAB ）
    D
    S
    A
    A
    W
    °C
    °C
    °C
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    T
    JM
    英镑
    M
    d
    重量
    安装力矩
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    10
    300
    g
    °C
    特点
    •低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    •坚固的多晶硅栅电池
    结构
    •国际标准套餐
    •快速开关时间
    应用
    •电机控制
    •直流斩波器
    •不间断电源
    （ UPS ）
    •开关模式和谐振模式
    优势
    •易于使用一颗螺丝安装
    （隔绝安装螺纹孔）
    •节省空间
    •高功率密度
    最大无铅焊接温度的
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    符号
    测试条件
    特征值
    分钟。
    500
    0.087
    2.0
    -0.25
    ±100
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    200
    3
    0.17
    4.0
    典型值。
    马克斯。
    V
    %/K
    V
    %/K
    nA
    µA
    mA
    Ω
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有规定编）
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 5毫安
    BV
    DSS
    温度COEF网络cient
    V
    DS
    = V
    GS
    ,
    I
    D
    = 250
    µA
    V
    GS （ TH）
    温度COEF网络cient
    V
    GS
    =
    ±20
    V DC ，V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 0.8 V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 I
    D25
    IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
    95513C (4/97)
    版权所有©2000 IXYS所有权利。
    1-4

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