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IXTK33N50 参数 Datasheet PDF下载

IXTK33N50图片预览
型号: IXTK33N50
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内容描述: 高电流MegaMOSFET [High Current MegaMOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 88 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXTK 33N50
14
12
10
V
ds
= 300 V
Vds=300V
= 33
I
D
=30A A
= 10毫安
I
G
=10mA
4500
4000
F = 1MHz的
1兆赫
C
国际空间站
电容 - pF的
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
V
GS
- 伏特
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
300
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
25
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
图7.栅极电荷
100
1 00
80
图8.电容曲线
I
D
- 安培
I
D
- 安培
60
T
J
= 125°C
10
1毫秒
10毫秒
T
C
= 25°C
100毫秒
DC
40
1
20
T
J
= 25°C
0
0.4
0. 1
0.6
0.8
1.0
1.2
10
1 00
500
V
SD
- 伏特
图9.源电流和源用于─
漏极电压
1.00
V
DS
- 伏特
图10.正向偏置SOA
R(日)
JC
- K / W
0.10
单脉冲
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
图11.瞬态热阻
版权所有©2000 IXYS所有权利。
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