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    IXTP3N120 参数 Datasheet PDF下载

    IXTP3N120图片预览
    型号： IXTP3N120
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高电压功率MOSFET [High Voltage Power MOSFETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 563 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXTP3N120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTP3N120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTP3N120的Datasheet PDF文件第4页  
    高压
    功率MOSFET
    N沟道增强模式
    额定雪崩，高dv / dt
    IXTA 3N120
    IXTP 3N120
    V
    DSS
    1200 V
    I
    D25
    3A
    R
    DS （ ON）
    4.5
    Ω
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    M
    d
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    1200
    1200
    ±20
    ±30
    3
    12
    3
    20
    700
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    mJ
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    特点
    国际标准封装
    低R
    DS （ ON）
    额定松开感性负载
    开关（ UIS ）
    成型环氧符合UL 94 V- 0
    易燃性分类科幻阳离子
    优势
    易于安装
    节省空间
    高功率密度
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    G
    S
    D（ TAB ）
    G
    DS
    的TO-220 （ IXTP ）
    D（ TAB ）
    TO- 263 （ IXTA ）
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 2
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    5
    200
    -55到+150
    150
    -55到+150
    从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
    安装扭矩（ TO- 220 ）
    TO-220
    TO-263
    300
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    4
    2
    g
    g
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    1200
    2.0
    5.0
    ±100
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    25
    1
    4.5
    V
    V
    nA
    µA
    mA
    Ω
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250
    µA
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 0.8 V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 I
    D25
    注1
    版权所有©2004 IXYS所有权利。
    DS98844E(02/04)

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