IXTA 3N120
IXTP 3N120
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.5
2.6
1100 1350
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
110 135
40
17
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 0.5 • I
D25
R
G
= 4.7
Ω
（外部）
15
32
18
42
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 0.5 • I
D25
8
21
0.62
(TO-220)
0.25
60
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
销： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
底侧
TO- 220 （ IXTP ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 • I
D25
注意1
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
3
12
1.5
700
A
A
V
ns
TO- 263 （ IXTA ）大纲
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
注意事项： 1.脉冲检验，t
≤
300
µs,
占空比ð
≤
2 %
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
底侧
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。
马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
IXYS [ IXYS CORPORATION ]
