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    2SC867 参数 Datasheet PDF下载

    2SC867图片预览
    型号： 2SC867
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 49 K
    品牌： JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
     浏览型号2SC867的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC867的Datasheet PDF文件第3页  
    JMnic
    Product Specification
    Silicon NPN Power Transistors
    2SC867
    CHARACTERISTICS
    Tj=25℃ unless otherwise specified
    SYMBOL
    PARAMETER
    CONDITIONS
    MIN
    TYP.
    MAX
    UNIT
    V
    (BR)CEO
    Collector-emitter breakdown voltage
    I
    C
    =30mA; I
    B
    =0
    150
    V
    V
    (BR)EBO
    Emitter-base breakdown voltage
    I
    E
    =1mA; I
    C
    =0
    5
    V
    V
    CEsat
    Collector-emitter saturation voltage
    I
    C
    =1A; I
    B
    =0.2 A
    1.0
    V
    V
    BEsat
    Base-emitter saturation voltage
    I
    C
    =1A; I
    B
    =0.2 A
    1.5
    V
    μA
    I
    CBO
    Collector cut-off current
    V
    CB
    =400V;I
    E
    =0
    100
    I
    EBO
    Emitter cut-off current
    V
    EB
    =5V; I
    C
    =0
    100
    μA
    h
    FE
    DC current gain
    I
    C
    =0.1A ; V
    CE
    =3V
    50
    f
    T
    Transition frequency
    I
    C
    =0.2A ; V
    CE
    =10V
    8
    MHz
    2

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