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JCS12N60CT-O-C-N-B 参数 Datasheet PDF下载

JCS12N60CT-O-C-N-B图片预览
型号: JCS12N60CT-O-C-N-B
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内容描述: N沟道MOSFET [N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 1126 K
品牌: JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
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R
JCS12N60T
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
JCS12N60CT
600
12
7.6
48
±30
880
12
25
4.5
250
51
�½�
JCS12N60FT
600
12*
7.6*
48*
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
Value
绝对最大额定值
Parameter
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
Symbol
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
V
GSS
-continuous
最大脉冲漏极电流
(注
1)
Drain Current - pulse
(note
1)
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩�½量
(注
2)
E
AS
Single Pulsed Avalanche Energy note 2)
雪崩电流
(注
1)
Avalanche Current(note 1)
重复雪崩�½量
(注
1)
Repetitive Avalanche Current(note 1)
I
AR
E
AR
二极管反向恢复最大电压变化速率
(注
3)
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt(note 3)
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above
25℃
T
J
,T
STG
耗散功率
Power Dissipation
2.0
0.41
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature
Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
55�½�+150
T
L
300
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本:201010C
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