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JCS730C-O-C-N-B 参数 Datasheet PDF下载

JCS730C-O-C-N-B图片预览
型号: JCS730C-O-C-N-B
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内容描述: N沟道MOSFET [N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 891 K
品牌: JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
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R
JCS730
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
JCS730V/R
JCS730F
Value
JCS730S/B/C
400
5.5
3.5
5.5*
3.5*
�½�
Unit
V
A
A
绝对最大额定值
Parameter
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
Symbol
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
-continuous
最大脉冲漏极电流
(注
1)
Drain Current - pulse
(note
1)
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩�½量
(注
2)
Single Pulsed Avalanche
Energy(note 2)
雪崩电流
(注
1)
Avalanche Current(note 1)
重复雪崩�½量
(注
1)
Repetitive Avalanche Current
(note
1)
二极管反向恢复最大电压变化
速率
(注
3)
Peak Diode Recovery dv/dt
(note
3)
22
22*
A
V
GSS
±30
V
E
AS
330
mJ
I
AR
5.5
A
E
AR
7.3
mJ
dv/dt
5.5
V/ns
耗散功率
Power Dissipation
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above
25℃
T
J
,T
STG
59
73
38
W
0.48
0.58
0.3
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes
-55�½�+150
T
L
300
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本:201007A
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