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JCS5N50VT-O-V-N-B 参数 Datasheet PDF下载

JCS5N50VT-O-V-N-B图片预览
型号: JCS5N50VT-O-V-N-B
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内容描述: N沟道MOSFET [N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 1626 K
品牌: JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
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R
JCS5N50T
测试条件
测试条件
最小典型最大单& frac12 ;
典型值最大值单位
参数
符号
电特性
电气特性
关态特性
关-Characteristics
漏-源击穿电压
漏源电压
击穿电压温度特性
击穿电压温度
系数
零栅压下漏极漏电流
零栅极电压漏极电流
正向栅极½漏电流
门体漏电流,
前锋
反向栅极½漏电流
门体漏电流,
反向
通态特性
上特点
阈值电压
栅极阈值电压
静态导通电阻
静态漏源
导通电阻
正向跨导
正向跨导
动态特性
动态特性
输入电容
输入电容
输出电容
输出电容
反向传输电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
-
-
492
83
16
633
110
22
pF
pF
pF
V
GS ( TH)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
3.0
-
5.0
V
BV
DSS
I
D
=250
μ
A,V
GS
=0V
500
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A,参考
25℃
T
J
V
DS
=500V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=400V,
I
GSSF
V
DS
=0V,
T
C
=125℃
-
0.64
-
V/℃
I
DSS
-
-
-
-
-
-
1
10
100
μA
μA
nA
V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V,
V
GS
=-30V
-
-
-100
nA
R
DS ( ON)
V
GS
= 10V ,我
D
=2.5A
-
1.33 1.6
g
fs
V
DS
= 40V ,我
D
=2.5A
(注
4)
-
5.5
-
S
版本:201010C
3/12