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    MJD112 参数 Datasheet PDF下载

    MJD112图片预览
    型号： MJD112
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 外延平面NPN晶体管（单片式结构，在基极 - 发射极分流电阻工业用途。 ） [EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 397 K
    品牌： KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
     浏览型号MJD112的Datasheet PDF文件第1页  
    MJD112/L
    h
    FE
    - I
    C
    10k
    DC CURRENT GAIN h
    FE
    5k
    3k
    V
    CE
    =3V
    V
    CE(sat)
    ,V
    BE(sat)
    - I
    C
    10
    SATURATION VOLTAGE
    V
    CE(sat)
    , V
    BE(sat)
    (V)
    5
    3
    V
    BE(sat)
    I
    C
    /I
    B
    =250
    1k
    500
    300
    1
    0.5
    0.3
    V
    CE(sat)
    100
    0.01
    0.03
    0.1
    0.3
    1
    3
    5
    0.1
    0.01
    0.03
    0.1
    0.3
    1
    3
    5
    COLLECTOR CURRENT I
    C
    (A)
    COLLECTOR CURRENT I
    C
    (A)
    C
    ob
    - V
    CB
    200
    CAPACITANCE C
    ob
    (pF)
    f=0.1MHz
    P
    C
    - Ta
    25
    POWER DISSIPATION P
    C
    (W)
    20
    15
    10
    5
    2
    1
    1 Tc=25 C
    2 Ta=25 C
    100
    50
    30
    10
    1
    3
    5
    10
    30
    50
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    COLLECTOR-BASE VOLTAGE V
    CB
    (V)
    CASE TEMPERATURE Ta ( C)
    SAFE OPERATING AREA
    10
    COLLECTOR CURRENT I
    C
    (A)
    5
    3
    1
    0.5
    0.3
    0.1
    0.05
    0.03
    0.01
    I
    C
    MAX.(PULSED) *
    I
    C
    MAX.
    (CONTINUOUS)
    DC OPERATION
    Tc=25 C
    10
    0
    µ
    S*
    1m
    5m
    S*
    S*
    * SINGLE NONREPETIVE
    PULSE Tc=25 C
    CURVES MUST BE DREATED
    LINEARLY WITH INCREASE
    IN TEMPERATURE
    1
    3
    10
    30
    100
    200
    COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
    CE
    (V)
    2003. 3. 27
    Revision No : 4
    2/2

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