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MJD112 参数 Datasheet PDF下载

MJD112图片预览
型号: MJD112
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内容描述: 外延平面NPN晶体管(单片式结构,在基极 - 发射极分流电阻工业用途。 ) [EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 397 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
 浏览型号MJD112的Datasheet PDF文件第1页  
MJD112/L
h
FE
- I
C
10k
直流电流增益ħ
FE
5k
3k
V
CE
=3V
V
CE ( SAT )
,V
BE ( SAT )
- I
C
10
饱和电压
V
CE ( SAT )
, V
BE ( SAT )
(V)
5
3
V
BE ( SAT )
I
C
/I
B
=250
1k
500
300
1
0.5
0.3
V
CE ( SAT )
100
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
5
0.1
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
5
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
- V
CB
200
电容C
ob
(PF )
f=0.1MHz
P
C
- TA
25
功耗P
C
(W)
20
15
10
5
2
1
1锝= 25℃
2的Ta = 25℃
100
50
30
10
1
3
5
10
30
50
0
0
50
100
150
200
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
CASE温度Ta ( C)
安全工作区
10
集电极电流I
C
(A)
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
I
C
MAX 。 (脉冲) *
I
C
马克斯。
(连续)
直流操作
TC = 25℃
10
0
µ
S*
1m
5m
S*
S*
*单NONREPETIVE
PULSE TC = 25℃
曲线必须DREATED
线性增长
温度
1
3
10
30
100
200
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2003. 3. 27
版本号: 4
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