FDN5630 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDN5630
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内容描述：	N沟道PowerTrench MOSFET的 [N-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 107 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

N沟道PowerTrench MOSFET的

FDN5630

■

电气特性TA = 25 ℃

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

符号

（ BR ） DSS

△

（ BR ） DSS

△

MOSFET

Testconditons

= 250

μA,

= 0V

= 250μA ，参考25 ℃

= 1.7A ，V

= 10V

民

典型值

最大

单位

127

2.4

-100

100

180

120

毫伏/ ℃

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

= 1.7A ，V

= 10V钽= 125 ℃

= 1.6A ，V

= 6V

mΩ

栅极阈值电压

正向跨导

栅极 - 源极漏电流

栅源正向leadage

栅极 - 源极反向leadage

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

最大连续漏源二极管的正向电流

二极管的正向电压

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

= V

, I

= 250

μA

= 10 V，I

= 1.7 A

= 48 V, V

= 0V

=-20V

=20V

=20V ,V

= 10 V ,

=1.7 A

μA

1.6

1.2

= 30 V，I

= 1 A

= 10 V ，R

根

= 6 Ω

= 15 V,

= 0 V,

F = 1MHz的

400

102

0.42

= 0 V，I

= 0.42 A

0.72

1.2

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