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GAL18V10-15LP 参数 Datasheet PDF下载

GAL18V10-15LP图片预览
型号: GAL18V10-15LP
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内容描述: 高性能E2CMOS PLD通用阵列逻辑 [High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic]
分类和应用: 可编程逻辑器件光电二极管输入元件时钟
文件页数/大小: 16 页 / 267 K
品牌: LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
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特定网络阳离子
GAL18V10
电子签名
电子签名是每个GAL18V10设备提供。它
包含64位的可重复编程存储器,可以包含用户自
定义的数据。有些用途包括用户ID码,版本号,
或库存控制。签名数据始终可用的
用户无关的安全性单元的状态的。
输出寄存器PRELOAD
当测试状态机的设计,所有可能的状态和状态
转换必须在设计进行验证,而不只是要求
在正常的机器操作。这是因为某些事件
抛出逻辑成为一个系统运行过程中可能出现
非法状态(电,线电压毛刺,棕奏等) 。对
测试设计这些条件适当的治疗,这是一种绝
提供打破反馈路径,并迫使任何期望(即
非法的)状态进入寄存器。然后机器进行测序
并且输出测试正确的下一个状态的条件。
该GAL18V10设备包括电路,允许每个注册
输出进行同步设置为高电平或低电平。因此,任何本
状态条件可以强制进行测试排序。如果需要的话,
批准GAL程序员在执行测试向量的能力
自动执行输出寄存器预紧力。
安全小区
一个安全单元在每个GAL18V10装置,防止提供
阵列模式的未经授权的复制。一旦编程,
这种细胞可以防止进一步的读访问功能位,
装置。该细胞只能通过重新编程DE-被擦除
副,使原来的配置不能进行检查,一旦这
单元被编程。电子签名总是可用
给用户,而不管该控制单元的状态的。
闭锁保护
GAL18V10器件被设计与一个板上电荷泵
到衬底负偏压。负偏压是足够
大小,以防止输入从使所述电路下冲
锁存。此外,输出被设计成n沟道上拉
而不是传统的P沟道的上拉电阻,以消除任何POS-
SCR的sibility引起闭锁。
输入缓冲器
GAL18V10设备的设计与TTL电平兼容的输入
缓冲区。这些缓冲器具有一个典型的高阻抗,
并提出一个轻得多的负载比双极型TTL驱动逻辑
设备。
输入和I / O引脚还具有内置有源上拉。其结果,
悬空的输入会浮到一个TTL高电平(逻辑1 ) 。然而,格
半导体公司建议所有未使用的输入和三态
I / O引脚被连接到一个相邻的有源输入, Vcc时,或地面。
这样做往往会提高噪声抑制并降低了Icc的
装置。
典型的输入电流
I N P ü吨碳ü R R简吨(U A)
器件编程
GAL器件采用编程的莱迪思半导体 -
批准逻辑编程器,可从许多制造的
商(见的GAL开发工具部分) 。完整
该装置的设计只需要几秒钟。擦除
该装置是对用户透明的,并且被自动地完成
编程周期的一部分。
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在P ü吨V Ø LT AG电子(V Ø LT S)
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