3N165-6 参数 Datasheet PDF下载

型号：	3N165-6
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内容描述：	单片双P沟道增强型MOSFET [MONOLITHIC DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 21 K
品牌：	LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]

3N165, 3N166

单片双P沟道

线性集成系统

特点

非常高的输入阻抗

高栅极击穿

超低漏电

低电容

绝对最大额定值（注1 ）

= 25 ° C除非另有说明）

漏源极或漏极，栅极电压

（注2 ）

3N165

3N166

短暂的G- S间电压

（注3）

栅栅电压

漏电流

（注2 ）

储存温度

工作温度

引线温度（焊接， 10秒）

功率耗散（单面）

降额合计超过25 ℃，

40 V

30 V

±125

±80

50毫安

-65 ° C到+ 200℃

-55 ° C至+ 150°C

+300°C

300毫瓦

4.2毫瓦/°C的

增强型

MOSFET

8 4

设备原理图

TO-99

底部视图

电气特性（T

=25

C和V

= 0，除非另有规定）

符号

GSSR

GSSF

DSS

SDS

D（上）

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

)

特征

门反向漏电流

门正向漏电流

漏极至源极漏电流

源极到漏极的泄漏电流

在漏极电流

门源门限电压

漏源导通电阻

正向跨导

输出导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

范围

分钟。马克斯。

-5

-2

1500

-10

-25

-200

-400

-30

-5

300

3000

300

3.0

0.7

3.0

µs

= -15V

（注4 ）

= -15V

（注4 ）

= -10mA

f=100MHz

= -10mA

f=1MHz

欧

µs

单位

= 40 V

= -40 V

=+125°C

= -20 V

= -15 V

= V

= -20 V

= -15V

= 0

= -10 V

= -10

µA

= -10

µA

= -100

µA

= -10mA

f=1kHz

条件

常见的来源正向跨导

1200

线性集成系统

4042帆船CT，弗里蒙特，CA 94538电话：（ 510 ） 490-9160 •传真：（ 510 ） 353-0261

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