匹配特性3N165
符号
Y
fs1
/Y
fs2
V
GS1-2
特征
正向跨导率
门源门限电压差分
随温度的变化
范围
分钟。马克斯。
0.90
--
--
1.0
100
100
mV
μV/°C
单位
V
DS
= -15 V
V
DS
= -15 V
V
DS
= -15 V
条件
I
D
= -500
µA
I
D
= -500
µA
I
A
= -500
µA
f=1kHz
∆V
GS1-2
/ ΔT栅源阈值电压差分
T
A
= -55 ° C至= + 25°C
典型的开关波形
V
DD
10%
10%
R
1
R
2
50
Ω
输入脉冲
上升时间
≤
2ns
脉冲宽度
≥
200ns
开关时间测试电路
V
OUT
t
on
t
r
90%
10%
t
关闭
10%
采样示波器
T
r
≤
0.2ns
C
IN
≤
2pF
R
IN
≥
10M
开关时间测试电路
注意事项：
1. MOS场效应晶体管具有非常高的输入阻抗，并且可以通过过量静电的积累而损坏
费。为了避免可能的设备损坏，接线，调试，或在实际操作中，请按照下列步骤：
以避免积累静电荷的，该装置的引线应保持与一个金属环，除了当短路
被测试或使用。避免不必要的处理。通过的情况下，代替引线拾取装置。不要插入或删除
从与上，电源电路器件作为瞬态电压可能会造成对设备的您永久损坏。
2.每个晶体管。
3.设备必须MOT处于测试
±125V
不止一次，也不长于300毫秒。
4.仅供设计参考，未经100％测试。
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这些都是强调
只有额定值和器件在这些功能操作或高于任何其他状况，在操作指示
规格部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
线性集成系统
4042帆船CT，弗里蒙特，CA 94538电话： （ 510 ） 490-9160 •传真： （ 510 ） 353-0261
LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
