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LT1161CSW 参数 Datasheet PDF下载

LT1161CSW图片预览
型号: LT1161CSW
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内容描述: 四受保护的高边MOSFET驱动器 [Quad Protected High-Side MOSFET Driver]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 12 页 / 182 K
品牌: LINER [ LINEAR TECHNOLOGY ]
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LT1161
四受保护的高边
MOSFET驱动器
特点
DESCRIPTIO
8V至48V电源电压范围
从保护 - 15V至60V电源瞬变
全面提升N沟道MOSFET开关
个别短路保护
个人自动重新启动定时器
可编程电流限制,延迟时间和
自动重启动期
电压限制型栅极驱动
默认为关闭状态,打开输入
流出液输入到输出引脚
可提供20引脚DIP或SOL包
该LT1161是一款四通道高边栅极驱动器允许
使用成本低的N沟道功率MOSFET的用于高侧
开关应用。它有四个独立开关
通道,每个通道包含一个完全自足
电荷泵全面增强N沟道MOSFET
开关无需外部元件。
还包括在每个交换机信道是漏极感
比较器,用于感测开关的电流。当一个
预设电流电平被超过时,该开关被断开。
开关保持截止的时间段由一个设置
外接定时电容,然后自动尝试
重新启动。如果故障仍然存在,这个循环不断重复,直到
故障排除后,从而保护MOSFET。
该LT1161具有苛刻而特别设计
操作环境,如工业,航空电子设备,并
汽车应用中较差的供应调控
和/或瞬变可能存在。该设备将无法
维持从-15V的电源电压为60V的伤害。
, LT , LTC和LTM是凌力尔特公司的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
应用S
工业控制
航空电子系统
汽车开关
步进电机和直流电机控制
电子电路断路器
典型应用
24V
C
T
0.1µF
0.1µF
0.1µF
0.1µF
V
+
T1
T2
T3
T4
IN1
IN2
IN3
IN4
GND
GND
LT1161
V
+
+
DS1
G1
DS2
G2
DS3
G3
DS4
G4
R
S
0.01Ω
IRFZ34
50µF
50V
0.50
0.45
转降与负载电流
总落差( V)
0.01Ω
IRFZ34
0.01Ω
IRFZ34
0.01Ω
IRFZ34
负载
#1
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
负载
#2
输入
负载
#3
0.10
0.05
0
0
1
3
2
负载电流(A )
4
5
1161 TA01
负载
#4
1161 F01
图1.受保护的四高边开关
1161fa
U
U
U
1