LTC1622
应用信息
101
100
99
98
97
96
95
2.0
V
REF
归一化电压（％）
V
第i个
2.2
2.4
2.6
2.8
输入电压（ V）
3.0
1622 F03
V图3.线路调整
REF
和V
第i个
最大电流检测电压，用于设置马克西
妈妈的输出电流。
设置输出电压
该LTC1622发展之间的0.8V参考电压
反馈端（引脚3 ）端子和接地（参见图4） 。通过
选择电阻器R1 ，一个恒定电流引起的流
通过R1和R2对输出电压设置。被监管
输出电压由下式确定：
R2
V
OUT
=
0
.
8
1
+
R1
对于大多数应用来说，一个30k的电阻，建议为R1。
为了防止杂散头，可选100pF的电容
建议R1两端靠近LTC1622 。
V
OUT
LTC1622
V
FB
R2
3
100pF
R1
1622 F04
图4.设置输出电压
效率方面的考虑
的开关稳压器的效率等于
输出功率与输入功率乘以100 ％分成。这是
分析单独损耗，以确定什么往往有用
10
U
W
U
U
是限制性的效率和它的变化会产生
最大的改进。效率可以表示为：
效率= 100％ - （ η1 +
η2
+
η3
+ ...)
哪里
η1, η2,
等是个人损失的百分比
年龄的输入功率。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，四个主要来源通常占多数的
在LTC1622电路损耗： 1） LTC1622 DC偏置电流，
2 ） MOSFET栅极充电电流， 3 ）I
2
ř损失， 4 ）电压
降输出二极管和5 ）转换损耗。
1. V
IN
电流是直流供电电流，在给定的
电特性，即不包括MOSFET驱动器
和控制电流。 V
IN
电流导致一个小的损失
它与V增加
IN
.
从开关2. MOSFET的栅极充电电流结果
功率MOSFET的栅极电容。每次
一个MOSFET栅极从低切换到高到低
再次，充电包dQ的从V移动
IN
到地面。
所得dQ的/ dt为一个电流输出Ⅴ的
IN
这是
通常比DC电源电流大得多。在
连续模式下，我
GATECHG
= F （ QP ） 。
3. I
2
ř损失由的直流电阻预测
MOSFET ，电感和电流分流。在连续
模式的平均输出电流流过电感，但
串联的P沟道MOSFET之间被“斩波”
有R
SENSE
和输出二极管。该MOSFET ř
DS （ ON）
加ř
SENSE
乘以占空比可以概括
与电感器的电阻，以获得予
2
ř损失。
4.输出二极管的功率损耗的主要来源
高电流和恶化在高输入电压。
二极管损耗乘以正向计算
电压下降时间二极管的占空比乘以
负载电流。例如，假设的占空比
50％的肖特基二极管的正向压降
0.4V时，损失从0.5％增加至8％的负载
电流增大，从0.5A到2A 。
5.转换损耗适用于外部MOSFET和
加强与更高的工作频率和输入
电压。转换损耗可以从估算：
LINER [ LINEAR TECHNOLOGY ]
