LTC1622
应用信息
优选在高开关频率，因此，设计目标
可以集中在铜损和防止饱和。
铁氧体磁芯材料饱和“硬”，这意味着，
电感突然崩溃高峰时的设计
电流超标。这导致的突然增大
电感纹波电流，因此，输出电压
纹波。不要让核心的饱和！
钼坡莫合金（从磁公司）是一种很不错的，低
损失芯材为环形的，但它比更昂贵
铁素体。从相同的制造一个合理的妥协
商是库尔木。环形磁芯是非常节省空间，
尤其是当你可以使用丝好几层。
由于他们普遍缺乏的梭芯，安装更
难。然而，新的表面安装设计，做
不增加高度显著可用。
功率MOSFET选择
外部P沟道功率MOSFET必须选择
用于与LTC1622使用。主要的选择标准
功率MOSFET的阈值电压V
GS （ TH）
和
“开”电阻R
DS （ ON）
，反向传输电容
C
RSS
和总栅极电荷。
由于LTC1622设计用于操作下降到低
输入电压时，一个子逻辑电平阈值的MOSFET （注册商标
DS （ ON）
保证在V
GS
= 2.5V）时需要的应用程序
努力接近这个电压。当这些MOSFET的使用，
确保在输入电源LTC1622小于
绝对最大MOSFET V
GS
等级，通常8V 。
栅极驱动电压电平是从地面到V
IN
.
所需的最低ř
DS （ ON）
MOSFET的被政
其允许功耗erned 。对于应用程序
即可以操作LTC1622低压差，即100 ％占空比
周期，在其最坏的情况下所需的R
DS （ ON）
由下式给出：
R
DS
(
ON
)
DC
=
100
%
=
在应用中，最大占空比小于
100％和LTC1622是在连续模式下，R
DS （ ON）
被支配者：
(
P
P
I
OUT
(
最大
)
) (
1
+ δ
p
)
2
其中，P
P
是允许功耗和
δp
为
的R的温度依赖性
DS （ ON）
. (1 +
δp)
一般是
在归一化R的形式给出了一个MOSFET的
DS （ ON）
vs
温度曲线，但
δp
= 0.005 / ℃，可作为一个
近似低电压的MOSFET 。
8
U
W
U
U
R
DS
(
ON
)
≅
( )
P
P
2
DC I
OUT
1
+ δ
p
(
)
其中， DC是的最大工作占空比
LTC1622.
当LTC1622是在连续模式工作时，
MOSFET的功耗为：
P
MOSFET
=
( ) (
1
+ δ
p
)
R
DS （ ON）
2
+
K
(
V
IN
) (
I
OUT
)(
C
RSS
)(
f
)
V
OUT
+
V
D
I
OUT
V
IN
+
V
D
2
其中，K是一个常数成反比有关的栅极驱动
电流。由于开关频率高时，
与开关损耗第二项重要的是不
忽视。常数K = 3 ，可用于估计
这两个词在MOSFET散热的贡献
方程。
输出二极管的选择
续流二极管进行负载电流时关断时间。
二极管的平均电流，因此依赖于
P沟道开关管的占空比。在高输入电压的
二极管导通的大部分时间。由于V
IN
接近V
OUT
该二极管导通的时间的一小部分。该
压力最大的条件为二极管是当输出
被短路。在这种条件下，二极管必须
安全地处理我
PEAK
在接近100 ％的占空比。因此，
以充分地指定二极管的峰值电流是很重要的
和平均功耗，以便不超过
二极管评级。
在正常负载条件下，平均电流CON-
由二极管管道式为：
V
IN
−
V
OUT
I
D
=
I
OUT
V
IN
+
V
D
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